收藏本站
4
C3D08065A Rev. A
Power Dissipation (W)
Tc
Case Temperature (°C)T
TC C Case Temperature (Case Temperature (°°CC))
Figure
6.
Power
Derating
Typical Performance
110.0110
100.0100
90.090
80.080
70.070
60.060.060
50.050
40.040
30.030
20.020
10.010
0.00
Power Dissipation (W)
2525 50 75 100 125 150 175
50
75
100
125
150
175
Power Dissipation (W)
Power Dissipation (W)
POS
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
A
.381
.410
9.677
10.414
B
.235
.255
5.969
6.477
CP?S
€
M
in.100
n???…
M
ax
.120M
i??i????‰…
M
in
M2.540ax
3.048
D
A
395.223
.41
.3371.33
1.5.664414
8.560
E
B
35.590
.55
.6155.99
.14.9864
15.621
F
C
1.143
.11
.153.591
.3.63245
3.886
G
D
E
331.105
.33
.59
.1
1.147.5
14.9
.28.0675
15.494
29.134
H
F
149.500
.153
.5503.5
3.12.700
13.970
J
G
R1
.10.1974
.
4
R
0.197
L
H
53.025
.55
.03613.4
3.9.635
.914
M
J
?.045.1
.055?
.54
1.143
1.397
N
L
M
.195
.3
.45
.55
.205.111.143
.94.95314
1.39
5.207
P
N
195.165
.5
.1854.953
5.4.191
4.699
Q
P
1.048
.1
.0544.31
4.51.219
1.372
S
Q
4
3°
6°1.19
33°1
6°
T
S
T
°
3°
3°
6°3°
3°
5°3°
5°
6°
U
U
°
3°
6°3°
5°3°
6°
V
V
1.094
.11
.110.54
.2.38894
2.794
WW
14.014
.1
.025.35
.53.3563
.635
X
X
°
3°
5.5°3°
5°3°
5.5°
Y
Y
Z
395.385
.41
.13
.15
.4101.333.3
1.9.779414
3.1
10.414
z
.130
.150
3.302
3.810
NOTE:
1.
Dimension
L,
M,
W
apply
for
Solder
Dip
Finish
A
C
E
D
G
H
B
J
L
M
N
F
P
Q
S
T
U
V
W
X
Y
.
.
.
.
.
1.1
9.13
.
1
.
.
.
.
.54
1.
3
5°
5°
3
5°
.
.
3
5°
.
1
Z
Package Dimensions
Package
TO-220-2
PIN
1
PIN
2
CASE
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
C3D10060A DIODE SCHOT 600V 10A ZREC TO220
C3D10060G DIODE SCHOT 600V 10A ZREC TO263
C3D10065A DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
C3D10170H DIODE SCHOT 1700V 14.4A TO-247-2
C3D25170H DIODE SCHOT 1700V 26.3A TO-247-2
C4D02120A DIODE SCHTTKY 1200V 5.9A TO220-2
C4D05120A DIODE SCHTTKY 1200V 8.2A TO220-2
C4D08120A DIODE SCHOTTKY 1200V TO-220-2
相关代理商/技术参数
C3D08065E 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 25.5A (DC) Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:25.5A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:395pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:75
C3D08065I 制造商:Cree 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8A 650V TO-220-2 制造商:Cree 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE
C3D10060A 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
C3D10060A 制造商:Cree 功能描述:Diode
C3D10060G 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
C3D10060G 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, 10A 600V TO-263
C3D10060G-TR 制造商:Cree 功能描述:CRLC3D10060G-TR
C3D10065A 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel